- La tecnología Samsung HPB redefine la gestión térmica al crear una vía de disipación directa desde el SoC sin atravesar la DRAM.
- HPB debutó con el Exynos 2600 de 2 nm GAA, mejorando hasta un 30% sus características térmicas frente a la generación anterior.
- Samsung planea licenciar HPB a terceros para reforzar su negocio de fundición y competir con TSMC en nodos avanzados.
- La combinación de Exynos 2600, HPB y Galaxy S26 puede cambiar la percepción de los chips Exynos en rendimiento sostenido y temperatura.
La tecnología Samsung HPB se ha convertido en una de las palabras de moda en el mundo de los procesadores móviles más potentes, y no es casualidad: es la pieza que le faltaba a Exynos para dejar atrás su fama de “se calienta demasiado” y plantar cara de verdad a Qualcomm y al resto de la competencia.
En este artículo vamos a desgranar con calma qué es exactamente HPB, cómo funciona, por qué está tan ligada al Exynos 2600 y qué impacto puede tener en el mercado de smartphones, fundiciones y empaquetado avanzado. Si te interesan los móviles potentes que no se achicharran al jugar o grabar vídeo, este tema te va a sonar, y mucho.
Qué es la tecnología Samsung HPB y por qué se ha vuelto tan importante
Cuando hablamos de HPB nos referimos a Heat Path Block (en algunos medios también aparece como Heat Pass Block), una solución de gestión térmica que Samsung ha integrado directamente en el empaquetado de sus SoC móviles más avanzados, empezando por el Exynos 2600 fabricado en 2 nm con transistores GAA.
A grandes rasgos, HPB es un bloque o estructura de alta conductividad térmica colocado muy cerca del procesador de aplicaciones (AP) que abre un “carril rápido” para sacar el calor hacia el exterior del paquete, sin tener que atravesar primero la memoria DRAM apilada. Con esto se evita que la memoria actúe como tapón térmico, algo que en diseños anteriores provocaba acumulación de calor, inestabilidad y throttling agresivo.
La clave no está solo en añadir un bloque térmico; el mérito es rediseñar por completo la disposición interna del paquete FoWLP (Fan-out Wafer Level Package) para que la memoria deje de estar justo encima del SoC y se desplace hacia un lateral. De este modo se libera el espacio necesario para que ese bloque de disipación —normalmente basado en cobre y materiales de alta constante dieléctrica optimizados— pueda contactar casi de forma directa con el chip.
Según los datos que se han ido filtrando y las cifras que maneja la propia Samsung, HPB reduce la resistencia térmica en torno a un 16% y mejora las características térmicas globales del Exynos 2600 en aproximadamente un 30% frente a la generación anterior. Traducido al lenguaje de usuario: el chip aguanta más tiempo al máximo rendimiento antes de tener que bajar revoluciones.
La relación entre HPB y el empaquetado FoWLP avanzado de Samsung
Para entender bien por qué HPB es tan relevante, hay que mirar el contexto: la industria lleva años apretando el nodo de fabricación (5 nm, 4 nm, 3 nm, 2 nm…) como principal vía para ganar rendimiento y eficiencia. Pero a medida que la densidad aumenta y el apilado de memoria se convierte en algo casi obligatorio, el auténtico cuello de botella pasa a ser térmico.
El empaquetado FoWLP ya había supuesto un salto importante: permitía redistribuir conexiones, reducir el tamaño del paquete y mejorar las rutas eléctricas sin recurrir a interposers voluminosos. Lo que hace Samsung ahora con FoWLP+HPB es ir un paso más allá: convertir el packaging en un elemento activo de control térmico, y no en un mero “soporte” donde se monta todo.
En la práctica, el SoC deja de limitarse a un único camino vertical de salida del calor —directamente hacia arriba, a través de la DRAM y el resto de capas— y gana una vía alternativa que deriva energía térmica desde el núcleo del AP hasta el disipador o cámara de vapor del teléfono. Es casi como añadir un carril adicional a una autopista atascada: el tráfico sigue existiendo, pero fluye mucho mejor.
Todo esto ocurre sin tocar la lógica del chip. HPB es totalmente independiente de la microarquitectura y de la ISA (en este caso Armv9.3 con núcleos C1); no hace falta rediseñar los núcleos, ni cambiar la disposición interna de las ALU, ni modificar la NPU. Es una capa de ingeniería que vive en el empaquetado, lo que la hace muy atractiva de cara a licenciarla a terceros.
Cómo funciona HPB a nivel interno: DRAM a un lado, cobre encima del AP
Hasta el Exynos 2500 y generaciones anteriores, el diseño típico de los SoC de Samsung colocaba la memoria DRAM justo encima del procesador. Esta configuración era eficiente en términos de espacio, pero desastrosa en gestión térmica: el calor generado por CPU, GPU y NPU tenía que atravesar primero la DRAM, que hacía de “colchón” y retrasaba la evacuación hacia la cámara de vapor, el chasis o el sistema de refrigeración del móvil.
Con HPB, Samsung reorganiza por completo ese esquema: la DRAM se desplaza lateralmente dentro del paquete, y el espacio libre se aprovecha para insertar un bloque de cobre u otro material altamente conductor justo encima del AP. Este bloque se conecta térmicamente con capas superiores del empaquetado y, desde ahí, con los elementos de refrigeración del propio smartphone.
Este rediseño tiene varios efectos directos: reduce los puntos calientes localizados en las unidades de cómputo intensivo (ALU de la CPU, unidades de la GPU y núcleos de la NPU cuando trabajan a la vez), protege la DRAM de temperaturas demasiado elevadas durante largos periodos y amplía el margen de frecuencia sostenida sin recurrir a un throttling prematuro.
Samsung también ha hablado de materiales de alta constante dieléctrica (High-K) optimizados para mejorar la conducción térmica dentro del chip. Aunque tradicionalmente el High-K se asocia a las puertas de los transistores y al aislamiento eléctrico, en este contexto se utilizan apilamientos y compuestos que equilibran propiedades eléctricas y térmicas para facilitar que el calor llegue lo antes posible al “carril” HPB.
Sobre el papel, y según datos internos, la resistencia térmica total del sistema se reduce alrededor de un 16%. Combinado con el redistribuido del calor y la vía dedicada, el resultado neto en el Exynos 2600 ronda ese 30% de mejora térmica respecto al anterior diseño de empaquetado, lo que explica que el chip pueda mantener frecuencias elevadas durante más tiempo sin estrangulamiento.
Exynos 2600: el escaparate perfecto para HPB
La tecnología HPB no llega sola; debutar junto a un SoC tan ambicioso como el Exynos 2600 le da un altavoz enorme. Este procesador móvil es el primero de Samsung fabricado con litografía de 2 nm y transistores GAA, y además estrena un diseño de CPU centrado íntegramente en núcleos grandes.
El Exynos 2600 mantiene el esquema de diez núcleos de CPU, pero se deshace de los núcleos pequeños de alta eficiencia al estilo clásico big.LITTLE. En su lugar, apuesta por una arquitectura C1 completa basada en Armv9.3, con un núcleo C1-Ultra a 3,8 GHz, tres núcleos C1-Pro a 3,25 GHz y seis núcleos C1-Pro a 2,75 GHz. Es una configuración pensada para competir frontalmente con Snapdragon 8 Elite Gen 5 y con los Dimensity 9400/9500 en cargas intensivas y gaming.
En la parte gráfica, Samsung continúa colaborando con AMD utilizando una GPU Xclipse 960, integrada como parte de las mejores GPUs para smartphones en su categoría; esta GPU promete duplicar el rendimiento de la generación anterior y mejorar un 50% el rendimiento en trazado de rayos. Además, integra tecnología ENSS (Exynos Neural Supersampling) para escalar resolución y suavizar la imagen al estilo de DLSS o FSR, pero enfocada a móviles.
El apartado de inteligencia artificial también se dispara: el Exynos 2600 cuenta con una NPU de 32K MAC que, según la propia Samsung, multiplica por 113 el rendimiento en tareas de IA generativa respecto al Exynos 2500. A nivel de seguridad, se introduce criptografía postcuántica (PQC) híbrida en hardware, preparando el chip para escenarios de protección de datos más exigentes.
En fotografía y vídeo, el ISP incorpora percepción visual por IA (VPS), capaz de identificar y optimizar elementos de la escena en tiempo real, reducir el consumo en torno a un 50% y soportar sensores de hasta 320 MP con cero latencia para capturas de 108 MP. También se admite grabación 8K a 30 fps y 4K a 120 fps con HDR, alineando el SoC con lo que se espera de un gama alta extremo.
Por qué HPB es crucial para el rendimiento sostenido y menos throttling
Todo este músculo de CPU, GPU e IA serviría de poco si el chip tuviera que bajar frecuencia a los pocos minutos de uso intensivo. Aquí es donde HPB marca la diferencia en el día a día, más allá de las cifras de laboratorio y los benchmarks sintéticos de pico.
En escenarios como juegos exigentes, grabación prolongada en 4K/8K, uso intensivo de IA generativa o modo escritorio tipo “PC mode”, los SoC tienden a alcanzar rápidamente sus límites térmicos. Cuando esto sucede, los fabricantes solo tienen dos opciones: bajar voltaje y frecuencia (throttling) o subir el presupuesto de refrigeración (cámaras de vapor enormes, chasis más gruesos, incluso ventiladores activos).
La apuesta de Samsung con HPB es empezar a gestionar el problema dentro del propio paquete del chip, antes de que el calor llegue al resto del sistema. Al ofrecerle al Exynos 2600 un “escape” térmico directo, consigue que la temperatura media se mantenga más baja, lo que se traduce en menos necesidad de recortar rendimiento para proteger el silicio.
En la práctica, esto significa que el usuario percibe una fluidez más estable y menos caídas de rendimiento súbitas después de unos minutos jugando, editando vídeo o utilizando funciones de cámara avanzadas. Al mismo tiempo, la DRAM queda mejor protegida de picos térmicos sostenidos, mejorando su fiabilidad y reduciendo el riesgo de errores o degradación prematura.
Hay otro detalle importante: el Exynos 2600 no integra el módem de comunicaciones dentro del mismo die, sino que se espera que lo acompañe un chip externo, como el Shannon 5410 para 2G, 3G, 4G, 5G y conexiones NTN vía satélite. Esta decisión, sumada a HPB, ayuda a repartir la generación de calor entre varios componentes en lugar de concentrarla toda en un único bloque monolítico.
Impacto de HPB en el diseño de smartphones y en la competencia con Qualcomm y TSMC
Desde el punto de vista de los fabricantes de móviles, HPB encaja justo en el momento adecuado. El mercado de gama alta de Samsung lleva tiempo donde lo que importa ya no es solo el pico máximo de rendimiento, sino cuánto tiempo se puede mantener ese rendimiento bajo condiciones reales sin que el teléfono se ponga a freír huevos.
Las marcas han intentado suplir las limitaciones térmicas con soluciones “externas”: cámaras de vapor más grandes, capas de grafito, marcos metálicos que reparten el calor, e incluso ventiladores integrados en móviles gaming. Todo eso ayuda, pero si el cuello de botella está en el propio empaquetado del SoC, llega un punto en el que es imposible compensarlo desde fuera.
HPB cambia esa dinámica porque empieza a atacar el problema en origen. Y lo hace de una forma relativamente independiente del resto del diseño del terminal: el fabricante puede seguir apostando por teléfonos delgados, sin ventiladores, y centrarse en cámaras, batería o diseño, sabiendo que el SoC tiene un margen térmico algo más holgado.
La jugada estratégica de Samsung va aún más lejos: ha decidido abrir su tecnología HPB a terceros. Hasta ahora, HPB era una solución propietaria reservada a sus propios chips, pero la compañía ha visto una oportunidad clara para atraer clientes a su negocio de fundición en plena batalla con TSMC e Intel.
Según informes de la industria y filtraciones, Samsung Foundry está dispuesta a licenciar HPB para que otros diseñadores de AP móviles lo utilicen. Se ha mencionado explícitamente el interés de fabricantes que dependen de Android, y se ha apuntado a que incluso Qualcomm y Apple estarían mirando de cerca esta tecnología para futuros Snapdragon y Apple Silicon, sobre todo dadas las tensiones de precios y capacidad en TSMC.
HPB como arma comercial: recuperar clientes y reforzar la fundición
En los últimos años, muchas grandes marcas han preferido fabricar sus SoC en los nodos de TSMC, dejando a Samsung Foundry en un segundo plano por cuestiones de rendimiento, eficiencia y yields. Con el salto a 2 nm GAA y una solución térmica diferencial como HPB, Samsung busca cambiar el relato.
La empresa ha reorganizado parte de su estructura interna, moviendo personal de desarrollo de empaquetado a las divisiones de memoria y fundición para convertir HPB y derivadas en productos comercializables. La idea es ofrecer no solo un nodo competitivo en 2 nm, sino un “pack completo”: proceso de fabricación avanzado + empaquetado térmico optimizado.
Este enfoque es especialmente atractivo ahora que TSMC ha encarecido de forma notable sus procesos punteros. Si Samsung es capaz de poner sobre la mesa precios más ajustados, un proceso GAA sólido y una ventaja térmica real gracias a HPB, puede empezar a recuperar contratos de diseño de AP, GPU y otros chips de alto rendimiento.
Al mismo tiempo, la propia división móvil de Samsung estaría presionando a Qualcomm para que sus futuros Snapdragon mantengan niveles de disipación térmica similares a los logrados con HPB. Esto, de rebote, puede forzar a Qualcomm a valorar volver a la fundición de Samsung si quiere cumplir con esas exigencias sin disparar costes o complejidad de diseño.
A medio plazo, si HPB se extiende más allá de Exynos y aterriza en otros SoC de terceros, podríamos ver un mercado de empaquetado móvil avanzado menos dependiente de TSMC y más repartido entre varias fundiciones, con Samsung volviendo a ser un actor de referencia y no solo “la alternativa barata”.
Qué significa HPB para los futuros Galaxy S26 y para el usuario final
Todo este despliegue técnico no tendría sentido si no se tradujera en productos concretos. La familia Galaxy S26 será la gran prueba de fuego para la combinación de 2 nm GAA, HPB y la nueva arquitectura de Exynos.
Las filtraciones apuntan a que el Exynos 2600 se utilizará en los Galaxy S26 y S26+ en mercados seleccionados (por ejemplo Europa y Corea del Sur), mientras que el Galaxy S26 Ultra seguiría montando un Snapdragon 8 Elite de quinta generación en la mayoría de territorios. Es una estrategia continuista, pero esta vez con un Exynos que, sobre el papel, ya no parte con desventaja térmica clara.
Si los datos de Samsung se cumplen, el usuario debería notar que los S26 con Exynos 2600 mantienen mejor el rendimiento en sesiones de juego largas, captura continuada de vídeo o multitarea exigente, con menos bajadas de rendimiento debidas al calor y temperaturas algo más contenidas en el cuerpo del dispositivo.
En la parte de cámara, el soporte de sensores de hasta 320 MP, capturas instantáneas de 108 MP sin latencia y grabación 8K/4K de alta tasa se verá potenciado por esa gestión térmica interna: no es lo mismo disparar un vídeo corto que mantener 8K a 30 fps durante minutos con funciones de IA activas. Ahí es donde HPB puede marcar diferencias, porque el ISP, la NPU y la GPU estarán generando calor al mismo tiempo.
Más allá de los buques insignia, la adopción de HPB o tecnologías similares en otros segmentos podría permitir móviles con menos grosor, sin ventiladores, y aún así con un rendimiento sostenido muy alto. También puede abrir la puerta a modos de escritorio más serios en Android, donde la línea entre “móvil” y “miniordenador de bolsillo” se difumina gracias a SoC cada vez más capaces.
En conjunto, la aparición de HPB y su puesta en escena con el Exynos 2600 y la gama Galaxy S26 sitúan a Samsung en una posición muy distinta a la de hace unos años. Si el sobrecalentamiento deja de ser el talón de Aquiles de Exynos y la fundición logra vender HPB a terceros, el mapa de la industria de chips móviles y del empaquetado avanzado puede cambiar radicalmente en la próxima generación.
